英特尔终于在11月26日正式放出第二代QLC固态硬盘新品，采用96层3D QLC NAND颗粒的英特尔665p固态硬盘。在使用96曾堆叠的QLC NAND之后，固态硬盘的基础性能提升13.6%;主控则继续使用慧荣提供的SM2263，辅以小型DRAM缓存和较大的可调整SLC缓存。
英特尔吸取上一代QLC NAND(英特尔660p固态硬盘)出现性能暴降和TLC闪存市场竞争过分激烈的情况，665p暂时不会有512GB版本。为了和西部数据争夺市场，英特尔率先推出1TB版本，2TB版则要等到2020年1季度。
作为对比，英特尔660p固态硬盘采用64层3D QLC NAND。英特尔在9月发布的时候，展示过660p和665p的CrystalDiskMark基准测试成绩，660P的数据确实有些难看。SLC缓存应对突发需求时性能还不错，但缓存用完后的写入速度依然尴尬，毕竟QLC产品的缺陷暂时难以弥补。
英特尔665p固态硬盘仍是定位入门级的NVMe固态硬盘，虽然支持x4接口，但性能与x2的PCIe 3.0版无太大区别。
耐久性方面，英特尔665p也得到较大改善，660p的日写入量(DWPD)为0.11，665p则是0.16。不过依然与使用TLC NAND的低端消费级SSD的0.3 DWPD要逊色不少，但英特尔对自家第二代QLC充满信心。
英特尔有望在2020年下半年推出144层的3D QLC闪存，按照英特尔的更新节奏，2021年或将迎来第二次更新，然后转进至PICe 4.0。
