Haswell-EP 与 Haswell-E 架构
一如过去几代的作法,Haswell 架构家族依然有后续的完整版 Haswell-EN/EP/E,同时也如同 Ivy Bridge 家族般推出了最高级的老大哥 Haswell-EX,但由于一般人是不太有机会碰到 Haswell-EX 与 Haswell-EN 的,所以本篇也就不打算谈了。Haswell-EP:面向中高阶服务器市场
Haswell-EP 在 Haswell 推出后的来年,也就是 2014 年才以 Intel Xeon E5 v3 家族的名义推出,最鲜明的特色主要有四个,依序是大增的核心数 (最多可以高达 18 核心)、大增的 L3 缓存 (最大可以来到 45 MB,与前代一样是跟处理器核心切齐的结果,所以核心数大涨缓存也就跟着大增了)、采用四信道 DDR4 内存 (根据型号不同支持的速度也不同,最高到 2133 MT/s)、更快的 QPI 联机 (根据型号不同,最高从前代的 8.0 GT/s 提高到 9.6 GT/s)。
而 Haswell-EP 也跟前代一样分成三种 Layout,但核心数量都大幅增加了,高配置 (HCC) 是 14 ~ 18 核心 (有两套四组环型总线与两组内存控制器),中配置 (MCC) 是 10 ~ 12 核心 (有两套三组环型总线与两组内存控制器),低配置 (LCC) 则是 4~8 核心 (仅有一套两组环型总线跟一组内存控制器)。
不过呢 Haswell-EP 最主要的升级同样不是出现在处理器本身,而其实是在于芯片组的部分,因为 C600 / X79 芯片组前后已经撑了将近三年了,在 Ivy Bridge E/EP 推出时,Haswell 也正好同步推出,当时就发生了高阶 HEDT 平台与中高阶服务器的扩充性竟然不如主流与入门平台的尴尬情况 (当时 C600/X79 原生只有两组 SATA 6Gbps,也不支持 USB 3.0),而到了 Haswell-EP 搭配的 C610 / X99 芯片组才终于补上相关的扩充能力。
此外,Haswell-E/EP 跟 Haswell 一样,脚位也跟前代的 Ivy Bridge-E/EP 不同了,虽然仍然是 LGA2011,但底下的触点分布跟定义都完全不同了,新的脚位称为 LGA2011-3 (Socket R3)。
(上图取自 Tom"s Hardware)Haswell-E:面向高阶计算机玩家 HEDT 平台
依循前面订下的惯例,所以 Haswell-E 是以第五代 Core i7 处理器的名义推出,推出时间在 2014 年的九月初,但由于 Broadwell 难产,所以搞到最后第五代 Core 处理器家族反而是 HEDT 平台先出了 (第四代的 HEDT Ivy Bridge-E 推出于 2013 年九月,Haswell 则推出于 2013 年六月,至于 Broadwell 呢?2015 年的事情了)。
不知道是不是因为 Haswell 架构的性能提升不是很明显的关系,在介绍 Haswell 家族架构的时候 Intel 常常把自家的老产品拿出来鞭尸 XD,这张是把 Intel 旗下第一个挂 Extreme Edition (极致版) 的产品 P4EE 开始一路到现在的 Core i7 Extreme 做对比,号称这十年内性能足足提升了 40 倍之多。
Haswell-E 的标志意义其实在于这是 Intel 第一次将八核心处理器带入个人计算机市场,同时 HEDT 平台也不再有四核心的型号了,让 HEDT 平台与主流平台的性能差距拉开许多,不过呢,最低阶的 5820K 只有 28 条 PCI Express 3.0 通道,似乎是为了跟 5930K 拉开所以故意让 5820K 的性价比降低而做的设定 (不过结果好像反而造成 5930K 不好卖的反效果?因为如果不玩多显示适配器的话其实 PCI Express 通道 28 条也够用了,为了 0.1 GHz 花 1.75 倍价钱怎么想也不值得)。
从 Die Map 上也可以很明显看出 Haswell-E 其实就是 LCC 配置的 Haswell-EP。
制程改进版:Intel Broadwell 架构
Broadwell 架构基本上就是 Haswell 架构移植到 14 奈米工艺的版本,如同介绍 Ivy Bridge 时提过的,制程改进随着尺度越缩越小,难度也越来越提高,虽然 Ivy Bridge 的时候有很多新的制程技术,看似好像突破了许多困难,但实际上在 Broadwell 架构的时候 Intel 还是踢到铁板了。
由于推出的时候 (2015 年六月) 距离 Skylake 的发布只差一、两个月,因此 Broadwell 上市的型号很少 (且在台湾只有少数店家有进,官方规画只有五种),以台湾而言能买到的 LGA1150 封装盒装版本只有 i7-5775C 跟 i5-5765C 两款而已,值得注意的是这两款居然配了 Iris Pro 内建显示,可说是前无古人,目前也未有来者。
从 Die map 上可以发现 Broadwell-C 的内建显示单元的大小实在太夸张了,比处理器本体还大了 XD。第二代 3D 立体三闸极晶体管
14 奈米制程中所使用的晶体管也获得了升级,直观上的差异是「鱼鳍」的高度变高、密度也变得更密了,这样的改变能够提升性能与降低漏电流。各类性能都有「微幅」提升
实际上 Broadwell 以 Haswell 作为基础,在蛮多方面都有性能上的提升 (像是分支预测也又升级了一番),不过因为 Skylake 在不到两个月后就推出了,自然也就没甚么人关注,甚至在官方的 IDF 大会上其实也直接跳过 Broadwell 就介绍 Skylake 了,怎么说呢,毕竟有更快的东西,第二名就不会有人在意了吧?